Продукція > CREE, INC > Транзистор RF польовий CGHV1F006S Cree, Inc
Транзистор RF польовий CGHV1F006S Cree, Inc

Транзистор RF польовий CGHV1F006S Cree, Inc


Виробник: Cree, Inc
RF Power Transistor DC-18 GHz 6 Watt 100 V Gain 16 dB GaN HEMT Транзистори польові ВЧ/НВЧ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Транзистор RF польовий CGHV1F006S Cree, Inc Cree, Inc

RF Power Transistor DC-18 GHz 6 Watt 100 V Gain 16 dB GaN HEMT Транзистори польові ВЧ/НВЧ.