1011GN-125E Microchip Technology


8365136784-1011gn-125e-1011gn-125el-1011gn-125ep-datasheet.pdf Виробник: Microchip Technology
125 W Interrogator/Transponder GaN Power Transistor and Amplifier
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1011GN-125E Microchip Technology

Description: RF MOSFET HEMT 50V 55-QQ, Packaging: Bulk, Package / Case: 55-QQ, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Power - Output: 150W, Gain: 18.75dB, Technology: HEMT, Supplier Device Package: 55-QQ, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 60 mA.

Інші пропозиції 1011GN-125E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1011GN-125E Виробник : Microchip Technology 1011GN-125E,EL,EP.pdf Description: RF MOSFET HEMT 50V 55-QQ
Packaging: Bulk
Package / Case: 55-QQ
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.03GHz ~ 1.09GHz
Power - Output: 150W
Gain: 18.75dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: 55-QQ
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.