на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 1.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N4531,133 Nexperia
Description: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO34, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: DO-204AG, DO-34, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: DO-34, Operating Temperature - Junction: 200°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 20 V.
Інші пропозиції 1N4531,133 за ціною від 1.06 грн до 11.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N4531,133 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO34Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AG, DO-34, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-34 Operating Temperature - Junction: 200°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 20 V |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
1N4531,133 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 75V; 200mA; Ammo Pack; Ifsm: 1A; DO34; 500mW Max. off-state voltage: 75V Max. load current: 0.45A Max. forward voltage: 1V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 4ns Max. forward impulse current: 1A Power dissipation: 0.5W Kind of package: Ammo Pack Type of diode: switching Features of semiconductor devices: fast switching Mounting: THT Case: DO34 |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1N4531,133 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO34 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AG, DO-34, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-34 Operating Temperature - Junction: 200°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 20 V |
на замовлення 11568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
1N4531,133 | Виробник : Nexperia |
Small Signal Switching Diodes 1N4531/SOD68/DO-34 |
на замовлення 252320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1N4531,133 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 75V; 200mA; Ammo Pack; Ifsm: 1A; DO34; 500mW Max. off-state voltage: 75V Max. load current: 0.45A Max. forward voltage: 1V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 4ns Max. forward impulse current: 1A Power dissipation: 0.5W Kind of package: Ammo Pack Type of diode: switching Features of semiconductor devices: fast switching Mounting: THT Case: DO34 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1N4531,133 | Виробник : Nexperia |
Rectifier Diode Switching 75V 0.2A 4ns 2-Pin DO-34 Ammo |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
1N4531,133 | Виробник : NEXPERIA |
Rectifier Diode Switching 75V 0.2A 4ns 2-Pin DO-34 Ammo |
товар відсутній |