1N5402-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 7.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5402-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: DO-201AD, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-201AD, Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Інші пропозиції 1N5402-E3/73 за ціною від 9.72 грн до 43.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N5402-E3/73 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 1617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5402-E3/73 | Виробник : Vishay General Semiconductor | Rectifiers 3.0 Amp 200 Volt |
на замовлення 5579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5402-E3/73 | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N5402-E3/73 | Виробник : Vishay | Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N5402-E3/73 | Виробник : Vishay | Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N5402-E3/73 | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO201AD Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Capacitance: 30pF Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 200A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.2V Leakage current: 0.5mA кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N5402-E3/73 | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO201AD Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Capacitance: 30pF Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 200A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.2V Leakage current: 0.5mA |
товар відсутній |