на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 915.79 грн |
| 10+ | 893.56 грн |
| 25+ | 776.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N6622 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 45 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1.2A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V.
Інші пропозиції 1N6622
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N6622 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 1N6622 THT universal diodes |
товар відсутній |
||
 |
1N6622 | Виробник : Microchip Technology |
Diode Switching 600V 1.2A 2-Pin Case A Bag |
товар відсутній |
|
| 1N6622 | Виробник : Sensitron Semiconductors |
Rectifier Diode Switching 600V 1.2A 30ns 2-Pin Style 106 |
товар відсутній |
||
 |
1N6622 | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-PAK Packaging: Bulk Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.2A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V |
товар відсутній |