Результат пошуку "1PS59SB10" : 3

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
PHA1PS59SB10.115 PHI 07+;
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
1PS59SB10,115 1PS59SB10,115 NXP USA Inc. 1PS59SB10_DS_Rev_Feb2017.pdf Description: DIODE SCHOT 30V 200MA SMT3 MPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SMT3; MPAK
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товар відсутній
1PS59SB10,115 1PS59SB10,115 NXP Semiconductors 217921880487741ps59sb10.pdf Rectifier Diode Schottky 30V 0.2A 5ns 3-Pin MPAK T/R
товар відсутній
PHA1PS59SB10.115
Виробник: PHI
07+;
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
1PS59SB10,115 1PS59SB10_DS_Rev_Feb2017.pdf
1PS59SB10,115
Виробник: NXP USA Inc.
Description: DIODE SCHOT 30V 200MA SMT3 MPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SMT3; MPAK
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товар відсутній
1PS59SB10,115 217921880487741ps59sb10.pdf
1PS59SB10,115
Виробник: NXP Semiconductors
Rectifier Diode Schottky 30V 0.2A 5ns 3-Pin MPAK T/R
товар відсутній