1N3613GP-E3/73 Vishay General Semiconductor
на замовлення 7954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 32.70 грн |
| 14+ | 25.13 грн |
| 100+ | 13.10 грн |
| 500+ | 12.14 грн |
| 1000+ | 8.39 грн |
| 3000+ | 7.36 грн |
| 9000+ | 6.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N3613GP-E3/73 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V.
Інші пропозиції 1N3613GP-E3/73
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N3613GP-E373 | Виробник : Vishay |
 Rectifier Diode Switching 600V 1A 2000ns 2-Pin DO-41 Ammo |
товару немає в наявності |
|
 |
1N3613GP-E3/73 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |