
1N4001-G Comchip Technology

Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO41
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 1.62 грн |
10000+ | 1.34 грн |
15000+ | 1.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N4001-G Comchip Technology
Description: ONSEMI - 1N4001G - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N4001, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 50V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 1N4001-G за ціною від 1.06 грн до 21.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N4001G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N4001G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N4001G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N4001G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N4001G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 46666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N4001G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N4001-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V |
на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N4001-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 9509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N4001G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N4001G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 30A Case: CASE59 Max. forward voltage: 1.1V Quantity in set/package: 1000pcs. |
на замовлення 875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N4001G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO41 Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated |
на замовлення 4880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N4001G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
на замовлення 9277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N4001G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 46666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N4001G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 31322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N4001G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 30A Case: CASE59 Max. forward voltage: 1.1V Quantity in set/package: 1000pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 875 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N4001G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO41 Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4880 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N4001G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N4001 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 9927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N4001G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V |
на замовлення 13906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N4001G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 17298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N4001G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N4001G | Виробник : SMC Diode Solutions |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N4001G | Виробник : Good-Ark |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N4001G | Виробник : EIC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N4001G | Виробник : EIC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N4001-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |