Результат пошуку "20ETS12-M3" : 6
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VS-20ETS12-M3 | VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 20A; tube; Ifsm: 300A; TO220AC; Ir: 1mA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: tube Max. forward impulse current: 300A Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.1V Leakage current: 1mA Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VS-20ETS12-M3 | Vishay Semiconductors | Rectifiers New Input Diodes - TO-220-e3 |
на замовлення 14571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
20ETS12-M3 | Vishay Semiconductors | Rectifiers |
товар відсутній |
||||||||||||||||
VS-20ETS12-M3 | VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 20A; tube; Ifsm: 300A; TO220AC; Ir: 1mA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: tube Max. forward impulse current: 300A Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.1V Leakage current: 1mA Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 299 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VS-20ETS12-M3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.2KV 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
товар відсутній |
VS-20ETS12-M3 |
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 20A; tube; Ifsm: 300A; TO220AC; Ir: 1mA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 300A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 1mA
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 20A; tube; Ifsm: 300A; TO220AC; Ir: 1mA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 300A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 1mA
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 132.97 грн |
4+ | 111.68 грн |
10+ | 84.63 грн |
27+ | 80.47 грн |
VS-20ETS12-M3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers New Input Diodes - TO-220-e3
Rectifiers New Input Diodes - TO-220-e3
на замовлення 14571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 197.34 грн |
10+ | 137.85 грн |
100+ | 103.22 грн |
250+ | 101.89 грн |
500+ | 94.56 грн |
1000+ | 83.91 грн |
2000+ | 81.91 грн |
VS-20ETS12-M3 |
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 20A; tube; Ifsm: 300A; TO220AC; Ir: 1mA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 300A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 1mA
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 20A; tube; Ifsm: 300A; TO220AC; Ir: 1mA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 300A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 1mA
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 159.57 грн |
3+ | 139.17 грн |
10+ | 101.56 грн |
27+ | 96.56 грн |
VS-20ETS12-M3 |
Виробник: Vishay
Rectifier Diode Switching 1.2KV 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
Rectifier Diode Switching 1.2KV 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товар відсутній