2N6387 Harris Corporation
Виробник: Harris Corporation
Description: TRANS NPN DARL 60V 10A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN DARL 60V 10A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
247+ | 89.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N6387 Harris Corporation
Description: TRANS NPN DARL 60V 10A TO220AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V, Supplier Device Package: TO-220AB, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції 2N6387 за ціною від 89.31 грн до 128.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N6387 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 60V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 1679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2N6387 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N6387 - 2N6387, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2N6387 | Виробник : MOTOROLA |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
2N6387 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 60V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
товар відсутній |
||||||
2N6387 | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 10A 60V Bipolar |
товар відсутній |
||||||
2N6387 | Виробник : STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |