Продукція > DIODES INCORPORATED > 2N7002KQ-13
2N7002KQ-13

2N7002KQ-13 DIODES INCORPORATED

2N7002K.pdf Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
120+3.25 грн
140+ 2.74 грн
400+ 2.1 грн
1060+ 1.98 грн
Мінімальне замовлення: 120
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002KQ-13 DIODES INCORPORATED

Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 10K, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V.

Інші пропозиції 2N7002KQ-13 за ціною від 2.13 грн до 22.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N7002KQ-13 2N7002KQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED 2N7002K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+3.9 грн
100+ 3.41 грн
400+ 2.52 грн
1060+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 80
2N7002KQ-13 2N7002KQ-13 Виробник : Diodes Incorporated 2N7002K.pdf Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 9825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.89 грн
21+ 13.73 грн
100+ 6.69 грн
500+ 5.24 грн
1000+ 3.64 грн
2000+ 3.15 грн
5000+ 2.88 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N7002KQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012994417_1-2544017.pdf MOSFET 2N7002 Family SOT23 T&R 10K
на замовлення 8296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.38 грн
21+ 15.24 грн
100+ 8.39 грн
1000+ 3.8 грн
2500+ 3.26 грн
10000+ 2.46 грн
20000+ 2.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N7002KQ-13 2N7002KQ-13 Виробник : Diodes Inc ds30896.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002KQ-13 2N7002KQ-13 Виробник : Diodes Zetex ds30896.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
2N7002KQ-13 2N7002KQ-13 Виробник : Diodes Incorporated 2N7002K.pdf Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній