
2ED020I06-FI Infineon Technologies
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 234.51 грн |
10+ | 207.79 грн |
100+ | 148.04 грн |
250+ | 140.78 грн |
500+ | 126.27 грн |
1000+ | 105.22 грн |
2000+ | 100.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2ED020I06-FI Infineon Technologies
Description: HALF-BRIDGE PERIPHERAL DRIVER, Packaging: Bulk, Package / Case: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 14V ~ 18V, Input Type: Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V, Supplier Device Package: PG-DSO-18-2, Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: High-Side and Low-Side, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V, Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A, Part Status: Active, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції 2ED020I06-FI
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
2ED020I06FI | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 14V ~ 18V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Supplier Device Package: PG-DSO-18-2 Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side and Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |