2ED020I06-FI

2ED020I06-FI Infineon Technologies


Infineon_2ED020I06_FI_DS_v02_00_EN-1125647.pdf Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers 650V Isolated HB,2A Comparator & OPAMP
на замовлення 2683 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.51 грн
10+207.79 грн
100+148.04 грн
250+140.78 грн
500+126.27 грн
1000+105.22 грн
2000+100.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2ED020I06-FI Infineon Technologies

Description: HALF-BRIDGE PERIPHERAL DRIVER, Packaging: Bulk, Package / Case: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 14V ~ 18V, Input Type: Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V, Supplier Device Package: PG-DSO-18-2, Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: High-Side and Low-Side, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V, Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A, Part Status: Active, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції 2ED020I06-FI

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2ED020I06FI 2ED020I06FI Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0001299747-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HALF-BRIDGE PERIPHERAL DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 14V ~ 18V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-18-2
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.