2N1700 Harris Corporation
Виробник: Harris Corporation
Description: NPN TRANSISTOR
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Supplier Device Package: TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 75µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 200µA
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3354.87 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
7 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N1700 Harris Corporation
Description: NPN TRANSISTOR, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Supplier Device Package: TO-39, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 4V, Current - Collector Cutoff (Max): 75µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 200µA, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 2N1700
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N1700 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N1700 |
|
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.