2N3868U4 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.003A U4
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 mA
Supplier Device Package: U4
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3868U4 Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.003A U4, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 mA, Supplier Device Package: U4, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 2N3868U4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N3868U4 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 60V 3mA 1W Power BJT SMT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N3868U4 |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 60V 3mA 1W Power BJT SMT
Bipolar Transistors - BJT 60V 3mA 1W Power BJT SMT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.