Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N4123TAR

2N4123TAR ON Semiconductor

Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2N4123TAR ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 30V 0.2A TO92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N4123TAR

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	2N4123TAR	Виробник : onsemi	Description: TRANS NPN 30V 0.2A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.