2N4405 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 80V 1A 1.25W TH TRANSISTOR-SMALL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-39
Frequency - Transition: 600MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Box
Power - Max: 1.25 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N4405 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Description: 80V 1A 1.25W TH TRANSISTOR-SMALL, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: TO-39, Frequency - Transition: 600MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 25nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Box, Power - Max: 1.25 W.
Інші пропозиції 2N4405 TIN/LEAD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N4405 TIN/LEAD | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 1A 1.25W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N4405 TIN/LEAD |
|
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 1A 1.25W
Bipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 1A 1.25W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.