Технічний опис 2N4449U Microchip Technology
Description: SMALL-SIGNAL BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 400nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V, Supplier Device Package: U, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Power - Max: 600 mW.
Інші пропозиції 2N4449U
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N4449U | Виробник : Microchip Technology |
Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: U Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 600 mW |
товару немає в наявності |
|
2N4449U | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 15V 600MW NPN Small-Signal BJT SQ SMT |
товару немає в наявності |