Технічний опис 2N6027RL1G ON Semiconductor
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Voltage - Output: 11V, Voltage: 40V, Current - Peak: 2 µA, Voltage - Offset (Vt): 1.6 V, Current - Valley (Iv): 50 µA, Part Status: Obsolete, Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA, Power Dissipation (Max): 300 mW.
Інші пропозиції 2N6027RL1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N6027RL1G | Виробник : onsemi |
 Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW |
товару немає в наявності |