2N7008-G Microchip
Виробник: Microchip
N-MOSFET 60V 230mA 7.5Ω 1W 2N7008-G Microchip T2N7008g
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 32.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7008-G Microchip
Description: MICROCHIP - 2N7008-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 7.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 230, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 7.5, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції 2N7008-G за ціною від 33.12 грн до 68.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7008-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
2N7008-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 6826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
2N7008-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-92-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bag |
на замовлення 1253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
2N7008-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
2N7008-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
2N7008-G | Microchip Technology |
MOSFETs 60V 7.5Ohm |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N7008-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 375+ | 37.47 грн |
| 500+ | 35.27 грн |
| 1000+ | 34.55 грн |
| 2N7008-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 6826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 332+ | 42.35 грн |
| 365+ | 38.51 грн |
| 384+ | 36.65 грн |
| 2N7008-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 44.64 грн |
| 25+ | 35.67 грн |
| 100+ | 33.12 грн |
| 2N7008-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 63.56 грн |
| 25+ | 52.35 грн |
| 100+ | 48.61 грн |
| 2N7008-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 206+ | 68.32 грн |
| 232+ | 60.61 грн |
| 2N7008-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 60V 7.5Ohm
MOSFETs 60V 7.5Ohm
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




