2SA2007E

2SA2007E Rohm Semiconductor


2SA2007.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 12A TO-220FN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 320 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-220FN
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.79 грн
10+130.42 грн
100+90.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA2007E Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 60V 12A TO-220FN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 320 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: TO-220FN, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 25 W.

Інші пропозиції 2SA2007E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA2007E 2SA2007E Виробник : ROHM Semiconductor rohm_2SA2007.pdf Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT PNP 60V 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.