Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > 2SB566KC-E
2SB566KC-E

2SB566KC-E Renesas Electronics Corporation

HITJD00001-22.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 2612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
195+107.62 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 195 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB566KC-E Renesas Electronics Corporation

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 4V, Frequency - Transition: 15MHz, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 40 W.