Продукція > CEL > 2SC5606-A
2SC5606-A

2SC5606-A CEL



Виробник: CEL
Description: RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Frequency - Transition: 21GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Power - Max: 115mW
Gain: 12.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Strip
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5606-A CEL

Description: RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, Frequency - Transition: 21GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 2V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V, Current - Collector (Ic) (Max): 35mA, Power - Max: 115mW, Gain: 12.5dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-523, Packaging: Strip.

Інші пропозиції 2SC5606-A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC5606-A 2SC5606-A Виробник : CEL ne66219-243335.pdf RF Bipolar Transistors NPN Silicon 21GHz NF 1.2dB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.