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2SCR341QTRQ

2SCR341QTRQ ROHM

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Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR341QTRQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 100 mA, 500 mW, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Технічний опис 2SCR341QTRQ ROHM

Description: ROHM - 2SCR341QTRQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 100 mA, 500 mW, TSMT, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120, DC-Stromverstärkung hFE: 120, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 500, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).