Продукція > 2SD > 2SD1664-T100Q

2SD1664-T100Q


Виробник:

на замовлення 862 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1664-T100Q

Description: TRANS NPN 32V 1A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції 2SD1664-T100Q

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SD1664 T100-Q Виробник : ROHM
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1664 T100Q Виробник : ROHM
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1664 T100Q Виробник : ROHM 09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1664 T100Q Виробник : ROHM SOT89
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1664 T100Q Виробник : ROHM SOT89
на замовлення 3378 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1664T100Q 2SD1664T100Q Виробник : Rohm Semiconductor 2sd1664%2C1858.pdf Description: TRANS NPN 32V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
2SD1664T100Q 2SD1664T100Q Виробник : Rohm Semiconductor 2sd1664%2C1858.pdf Description: TRANS NPN 32V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
2SD1664T100Q Виробник : ROHM Semiconductor rohm_semiconductor_rohm-s-a0000256079-1-1742808.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 32V 1A
товар відсутній