Продукція > ROHM > 2SD2150T100S

2SD2150T100S ROHM

2SD2150.pdf Виробник: ROHM
10+ SOT-89
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD2150T100S ROHM

Description: TRANS NPN 20V 3A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 290MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SD2150T100S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SD2150T100S Виробник : ROHM 2SD2150.pdf 98+ SOT-89
на замовлення 918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2150 T100S Виробник : ROHM SOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2150T100S 2SD2150T100S Виробник : Rohm Semiconductor 2SD2150.pdf Description: TRANS NPN 20V 3A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 290MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2150T100S 2SD2150T100S Виробник : Rohm Semiconductor 2SD2150.pdf Description: TRANS NPN 20V 3A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 290MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2150T100S Виробник : ROHM Semiconductor rohm semiconductor_2sd2150.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.