Продукція > RENESAS > 2SJ529L06-E

2SJ529L06-E Renesas


2sj529l-2sj529s-datasheet?language=en Виробник: Renesas
Description: 2SJ529L06 - P-CHANNEL POWER MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK(L)-(2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V
на замовлення 60244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
295+67.68 грн
Мінімальне замовлення: 295
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SJ529L06-E Renesas

Description: 2SJ529L06 - P-CHANNEL POWER MOSF, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK(L)-(2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V.