Продукція > TOSHIBA > 2SK2035(T5L,F,T)
2SK2035(T5L,F,T)

2SK2035(T5L,F,T) Toshiba


441784109062175444178402096918422sk2035_datasheet_en_20140301.pdf.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin SSM T/R
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK2035(T5L,F,T) Toshiba

Description: MOSFET N-CH 20V 100MA SSM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 2.5V, Power Dissipation (Max): 100mW (Ta), Supplier Device Package: SSM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, Vgs (Max): 10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V.

Інші пропозиції 2SK2035(T5L,F,T)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SK2035(T5L,F,T) 2SK2035(T5L,F,T) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 20V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Supplier Device Package: SSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
товар відсутній