30A01C-TB-E ON Semiconductor
на замовлення 279000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3912+ | 7.95 грн |
| 10000+ | 7.09 грн |
| 100000+ | 5.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 30A01C-TB-E ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 0.3A 3-CP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V, Frequency - Transition: 520MHz, Supplier Device Package: 3-CP, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 300 mW.
Інші пропозиції 30A01C-TB-E за ціною від 7.95 грн до 8.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
30A01C-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 30V 0.3A 300mW 3-Pin Case CP |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
30A01C-TB-E | Виробник : Sanyo |
Description: TRANS PNP 30V 0.3A 3-CP Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 520MHz Supplier Device Package: 3-CP Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 288000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|