30KP90A

30KP90A Solid State Inc.


30KPSeries-ssi.pdf Виробник: Solid State Inc.
Description: 30KW TVS UNIDIRECTIONAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 206A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 90V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 100V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 146V
Power - Peak Pulse: 30000W (30kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+473.51 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 30KP90A Solid State Inc.

Description: 30KW TVS UNIDIRECTIONAL, Packaging: Bulk, Package / Case: Axial, Mounting Type: Through Hole, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 206A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 90V, Supplier Device Package: Axial, Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 100V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 146V, Power - Peak Pulse: 30000W (30kW), Power Line Protection: No, Part Status: Active.

Інші пропозиції 30KP90A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
30KP90A 30KP90A Виробник : CDIL 30KP_ser.PDF Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 30kW; 100.5V; 207A; unidirectional; R6; bulk
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 30kW
Max. off-state voltage: 90V
Breakdown voltage: 100.5V
Max. forward impulse current: 207A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: R6
Mounting: THT
Leakage current: 10µA
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
30KP90A 30KP90A Виробник : CDIL 30KP_ser.PDF Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 30kW; 100.5V; 207A; unidirectional; R6; bulk
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 30kW
Max. off-state voltage: 90V
Breakdown voltage: 100.5V
Max. forward impulse current: 207A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: R6
Mounting: THT
Leakage current: 10µA
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.