5SNA 1200G330100 ABB
Виробник: ABBCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate,common emitter
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; common gate; transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge x3
Max. off-state voltage: 3.3kV
Collector current: 1.2kA
Case: HIPAK
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 5SNA 1200G330100 ABB
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate,common emitter, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: common emitter; common gate; transistor/transistor, Topology: IGBT half-bridge x3, Max. off-state voltage: 3.3kV, Collector current: 1.2kA, Case: HIPAK, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 2.4kA, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції 5SNA 1200G330100
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 5SNA 1200G330100 | Виробник : ABB |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate,common emitter Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: common emitter; common gate; transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge x3 Max. off-state voltage: 3.3kV Collector current: 1.2kA Case: HIPAK Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 2.4kA |
товару немає в наявності |