71256L100DB Renesas Electronics
на замовлення 129 шт:
термін постачання 460-469 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3074.71 грн |
| 10+ | 2810.50 грн |
| 26+ | 2356.58 грн |
| 52+ | 2297.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 71256L100DB Renesas Electronics
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP, Packaging: Tube, Package / Case: 28-CDIP (0.600", 15.24mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 256Kbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA), Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 28-CDIP, Write Cycle Time - Word, Page: 100ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 100 ns, Memory Organization: 32K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції 71256L100DB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
71256L100DB | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
 Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIPPackaging: Tube Package / Case: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 28-CDIP Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |