Технічний опис 8ETH06S IR
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V.
Інші пропозиції 8ETH06S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 8ETH06S | Виробник : IR |
 09+ SOP-8 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| 8ETH06S | Виробник : IR |
TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
8ETH06S | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 600V 8A 25ns Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
|
 |
8ETH06S | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V |
товар відсутній |
|
 |
8ETH06S | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers RECOMMENDED ALT 78-VS-8ETH06S-M3 |
товар відсутній |