Технічний опис AO4714 AO
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4512 pF @ 15 V.
Інші пропозиції AO4714
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| AO4714 | Виробник : AOS |
 07PB |
на замовлення 2080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| AO4714 | Виробник : AOS |
0930+ SOP-8 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| AO4714 | Виробник : AOSMD |
|
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
AO4714 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4512 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|
|
|
AO4714 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4512 pF @ 15 V |
товар відсутній |