AO4800BL AOSMD


AO4800B_DS.pdf Виробник: AOSMD

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AO4800BL AOSMD

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.9W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції AO4800BL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AO4800BL AO4800BL Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4800B_DS.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній