Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AUIRF7769L2TR
AUIRF7769L2TR

AUIRF7769L2TR Infineon Technologies

INFN-S-A0002297188-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+330.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRF7769L2TR Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric L8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V.

Інші пропозиції AUIRF7769L2TR за ціною від 316.32 грн до 656.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AUIRF7769L2TR AUIRF7769L2TR Виробник : Infineon Technologies auirf7769l2-1730812.pdf MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+548.51 грн
10+ 482.47 грн
25+ 406.89 грн
100+ 366.93 грн
250+ 363.6 грн
500+ 318.32 грн
1000+ 316.32 грн
AUIRF7769L2TR AUIRF7769L2TR Виробник : INFINEON INFN-S-A0002297188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 0.0028 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
на замовлення 10155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+593.15 грн
50+ 503.61 грн
100+ 421.33 грн
250+ 413.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
AUIRF7769L2TR AUIRF7769L2TR Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0002297188-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+621.67 грн
10+ 512.84 грн
100+ 427.39 грн
500+ 353.9 грн
1000+ 318.51 грн
AUIRF7769L2TR AUIRF7769L2TR Виробник : INFINEON INFN-S-A0002297188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 0.0028 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
на замовлення 10155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+656.65 грн
5+ 625.28 грн
10+ 593.15 грн
50+ 503.61 грн
100+ 421.33 грн
250+ 413.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
AUIRF7769L2TR Виробник : Infineon INFN-S-A0002297188-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)