ESH3D-E3/57T Vishay General Semiconductor
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 58.16 грн |
| 10+ | 49.41 грн |
| 100+ | 29.78 грн |
| 500+ | 23.47 грн |
| 850+ | 23.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ESH3D-E3/57T Vishay General Semiconductor
Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 55ns; DO214AB,SMC; Ufmax: 0.9V, Type of diode: rectifying, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 200V, Load current: 3A, Reverse recovery time: 55ns, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching, Capacitance: 70pF, Max. forward voltage: 0.9V, Case: DO214AB; SMC, Kind of package: reel; tape, Leakage current: 0.15mA, Max. forward impulse current: 125A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції ESH3D-E3/57T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ESH3D-E3/57T | Виробник : VISHAY |
 Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 55ns; DO214AB,SMC; Ufmax: 0.9V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Reverse recovery time: 55ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 70pF Max. forward voltage: 0.9V Case: DO214AB; SMC Kind of package: reel; tape Leakage current: 0.15mA Max. forward impulse current: 125A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
ESH3D-E3/57T | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB |
товар відсутній |
|
|
|
ESH3D-E3/57T | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB |
товар відсутній |
|
|
|
ESH3D-E3/57T | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 55ns; DO214AB,SMC; Ufmax: 0.9V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Reverse recovery time: 55ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 70pF Max. forward voltage: 0.9V Case: DO214AB; SMC Kind of package: reel; tape Leakage current: 0.15mA Max. forward impulse current: 125A |
товар відсутній |