FDC2512 ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC2512 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.4 A, 0.425 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.425ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.425ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDC2512 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.4 A, 0.425 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.425ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.425ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC2512 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC2512 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.4 A, 0.425 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.425ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.425ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FDC2512 за ціною від 14.78 грн до 14.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDC2512 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC2512 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.4 A, 0.425 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 1.6W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.425ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||
FDC2512 | Виробник : Fairchild |
N-MOSFET 1.4A 150V 1.6W 0.425Ω FDC2512 TFDC2512 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 161 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
FDC2512 Код товару: 121807 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товар відсутній
|
|||||||
FDC2512 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||
FDC2512 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||
FDC2512 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||
FDC2512 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 75 V |
товар відсутній |
||||||
FDC2512 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 75 V |
товар відсутній |
||||||
FDC2512 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 150V NCh PowerTrench |
товар відсутній |