Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDG6332C
FDG6332C

FDG6332C ON Semiconductor

fdg6332c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDG6332C ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDG6332C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDG6332C за ціною від 9.13 грн до 44.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDG6332C FDG6332C Виробник : onsemi fdg6332c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.76 грн
6000+ 9.84 грн
9000+ 9.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6332C FDG6332C Виробник : ON Semiconductor fdg6332c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.81 грн
9000+ 10.51 грн
24000+ 10.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6332C FDG6332C Виробник : ON Semiconductor fdg6332c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.85 грн
9000+ 10.55 грн
24000+ 10.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6332C FDG6332C Виробник : onsemi fdg6332c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 13373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.7 грн
11+ 26.29 грн
100+ 18.27 грн
500+ 13.38 грн
1000+ 10.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDG6332C FDG6332C Виробник : onsemi / Fairchild FDG6332C_D-2312483.pdf MOSFET 20V N&P-Channel Power Trench
на замовлення 8783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.48 грн
11+ 28.18 грн
100+ 18.18 грн
500+ 15.25 грн
1000+ 12.25 грн
3000+ 10.39 грн
9000+ 9.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDG6332C FDG6332C Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013670044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDG6332C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+44.6 грн
25+ 30.7 грн
100+ 20.39 грн
500+ 15.89 грн
Мінімальне замовлення: 17
FDG6332C FDG6332C Виробник : ON Semiconductor fdg6332c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6332C FDG6332C Виробник : ON Semiconductor fdg6332c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6332C FDG6332C Виробник : ON Semiconductor fdg6332c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній