на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 82.12 грн |
| 10+ | 70.89 грн |
| 100+ | 55.28 грн |
| 500+ | 42.86 грн |
| 1000+ | 33.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC4D9P20X8 onsemi
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -47A; Idm: -335A; 40W; PQFN8, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -47A, Pulsed drain current: -335A, Power dissipation: 40W, Case: PQFN8, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 16.4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 109nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FDMC4D9P20X8
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FDMC4D9P20X8 | Виробник : ONSEMI |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -47A; Idm: -335A; 40W; PQFN8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -47A Pulsed drain current: -335A Power dissipation: 40W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 16.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 109nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| FDMC4D9P20X8 | Виробник : ON Semiconductor |
P-Channel Power Trench® MOSFET |
товар відсутній |
||
|
|
FDMC4D9P20X8 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN |
товар відсутній |
|
| FDMC4D9P20X8 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -47A; Idm: -335A; 40W; PQFN8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -47A Pulsed drain current: -335A Power dissipation: 40W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 16.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 109nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |