IRF2907ZSTRLPBF

IRF2907ZSTRLPBF Infineon Technologies


irf2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ded98f1902 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+154.2 грн
1600+ 127.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF2907ZSTRLPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF2907ZSTRLPBF за ціною від 115.21 грн до 277.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ded98f1902 Description: MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+255.73 грн
10+ 206.51 грн
100+ 167.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF2907Z_DataSheet_v01_01_EN-3362882.pdf MOSFET MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+277.36 грн
10+ 228.98 грн
100+ 161.82 грн
250+ 161.16 грн
500+ 156.49 грн
800+ 122.53 грн
2400+ 115.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2907z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2907z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2907z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2907z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRF2907ZSTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRF2907ZSTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній