Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6637TRPBF
IRF6637TRPBF

IRF6637TRPBF Infineon Technologies

IRSDS10494-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: IRF6637 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 15 V
на замовлення 4686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
332+59.26 грн
Мінімальне замовлення: 332
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6637TRPBF Infineon Technologies

Description: IRF6637 - 12V-300V N-CHANNEL POW, Packaging: Bulk, Package / Case: DirectFET™ Isometric MP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IRF6637TRPBF за ціною від 59.26 грн до 59.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF6637TRPBF IRF6637TRPBF Виробник : International Rectifier IRSDS10494-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 14A/59A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 15 V
на замовлення 26574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
332+59.26 грн
Мінімальне замовлення: 332
IRF6637TRPBF Виробник : IOR IRSDS10494-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2007
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF6637TRPBF IRF6637TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6637_DataSheet_v01_01_EN-1732491.pdf MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC
товар відсутній