Технічний опис IRF7102 IOR
Description: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції IRF7102
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7102 | Виробник : IOR |
 09+ SO-8 |
на замовлення 8891 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRF7102 | Виробник : IOR |
SOP-8 |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRF7102 | Виробник : IR |
09+ |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRF7102 | Виробник : IRF |
|
на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRF7102 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
|
| IRF7102 | Виробник : Infineon Technologies |
Infineon |
товар відсутній |