Технічний опис IRF7350TRPBF IR
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2.1A 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A, 1.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції IRF7350TRPBF за ціною від 0 грн до 0 грн
IRF7350TRPBF |
Виробник: IR SOP8 0823+ ![]() |
на замовлення 5000 шт ![]() термін постачання 14-28 дні (днів) |
|
|
IRF7350TRPBF |
Виробник: IRF 09+ ![]() |
на замовлення 52043 шт ![]() термін постачання 14-28 дні (днів) |
|
|
IRF7350TRPBF |
Виробник: IR![]() |
на замовлення 128000 шт ![]() термін постачання 14-28 дні (днів) |
|
|
IRF7350TRPBF |
Виробник: IOR![]() |
на замовлення 50000 шт ![]() термін постачання 14-28 дні (днів) |
|
|
IRF7350TRPBF |
Виробник: ![]() |
на замовлення 50000 шт ![]() термін постачання 14-28 дні (днів) |
|