Технічний опис IRF7350TRPBF IOR
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2.1A/1.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A, 1.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції IRF7350TRPBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IRF7350TRPBF | Виробник : IR |
на замовлення 128000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
IRF7350TRPBF | Виробник : IR | SOP8 07+08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7350TRPBF | Виробник : IR | SOP8 0823+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7350TRPBF | Виробник : IRF | 09+ |
на замовлення 52043 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7350TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH Si 100V 2.1A/1.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||
IRF7350TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2.1A/1.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A, 1.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
||
IRF7350TRPBF | Виробник : Infineon / IR | MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 100V 2.1A |
товар відсутній |