Продукція > IOR > IRF7494TRPBF

IRF7494TRPBF IOR


IRF7494PbF.pdf Виробник: IOR

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7494TRPBF IOR

Description: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1783 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF7494TRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7494TRPBF Виробник : IR IRF7494PbF.pdf
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7494TRPBF Виробник : IR IRF7494PbF.pdf 1039+ SOP8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7494TRPBF Виробник : IR IRF7494PbF.pdf SOP8 0812+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7494TRPBF Виробник : IRF IRF7494PbF.pdf
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7494TRPBF IRF7494TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7494pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7494TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRF7494PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1783 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF7494TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRF7494PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1783 pF @ 25 V
товар відсутній