Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7811AVTR
IRF7811AVTR

IRF7811AVTR

irf7811av.pdf
Код товару: 25341
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 28 V
Idd,A: 11,4 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/23
Монтаж: SMD
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF7811AVTR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7811AVTR IRF7811AVTR Виробник : Infineon Technologies IR_PartNumberingSystem.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1801 pF @ 10 V
товар відсутній