IRL40B209 Infineon Technologies
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 117+ | 100.2 грн |
| 118+ | 99.21 грн |
| 121+ | 97.03 грн |
| 200+ | 93.27 грн |
| 500+ | 86.19 грн |
| 1000+ | 82.49 грн |
| 2000+ | 80.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL40B209 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL40B209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.001 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRL40B209 за ціною від 102.24 грн до 257.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRL40B209 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 414A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRL40B209 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 414A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRL40B209 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 40V, 195A, 1.25 mOhm 180 nC Qg, Logic Lv |
на замовлення 4605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRL40B209 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL40B209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.001 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRL40B209 Код товару: 168507 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
 |
IRL40B209 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 414A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRL40B209 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 293A; Idm: 1707A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 293A Pulsed drain current: 1707A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.25mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRL40B209 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15140 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRL40B209 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 293A; Idm: 1707A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 293A Pulsed drain current: 1707A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.25mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |