IRLML6402TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 3464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
86+ | 3.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLML6402TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLML6402TRPBF - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 3.7A, 20V, 65 mOhm, 1.3W, SOT-23, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRLML6402TRPBF за ціною від 5.06 грн до 35.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLML6402TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML6402TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6402TRPBF - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 3.7A, 20V, 65 mOhm, 1.3W, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 170348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML6402TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML6402TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML6402TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML6402TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 86438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML6402TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML6402TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V |
на замовлення 114170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML6402TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 21655 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML6402TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6402TRPBF - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 3.7A, 20V, 65 mOhm, 1.3W, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 170348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML6402TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT P-Ch -3.7A 65mOhm 8nC Log Lvl |
на замовлення 427381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML6402TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML6402TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21655 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML6402TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML6402TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 3,7 А; Ptot, Вт = 1,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 633 @ 10; Qg, нКл = 12 @ 250 мкА; Rds = 65 мОм @ 3,7 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА; SOT-23-3 |
на замовлення 4457 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML6402TRPBF | Виробник : Infineon | Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT23 Udss=-20V; Id=-3,5A; Pdmax=1,1W; Rds=0,06 Ohm |
на замовлення 9281 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLML6402TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation | -20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 packa/SOT-23 |
на замовлення 4046 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRLML6402TRPBF | IRLML6402TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 5238 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
IRLML6402TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRLML6402TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |