Технічний опис IRLMS6802TR IR
Description: MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6), Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V.
Інші пропозиції IRLMS6802TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRLMS6802TR | Виробник : IR |
 07+ SOT23-6 |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRLMS6802TR | Виробник : IRF |
09+ |
на замовлення 2793 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRLMS6802TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R |
товар відсутній |
|
 |
IRLMS6802TR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V |
товар відсутній |