MCM1208-TP

MCM1208-TP Micro Commercial Co


MCM1208(DFN2020-6J).pdf Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET P-CH 12V 8A DFN2020-6J
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6J
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 52859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.62 грн
10+ 33.16 грн
100+ 22.97 грн
500+ 18.01 грн
1000+ 15.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MCM1208-TP Micro Commercial Co

Description: MOSFET P-CH 12V 8A DFN2020-6J, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020-6J, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V.

Інші пропозиції MCM1208-TP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MCM1208-TP MCM1208-TP Виробник : Micro Commercial Components (MCC) MCM1208(DFN2020-6J)-A-935109.pdf MOSFET 8A,12V,P Channel Mosfet
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MCM1208-TP MCM1208-TP Виробник : Micro Commercial Co MCM1208(DFN2020-6J).pdf Description: MOSFET P-CH 12V 8A DFN2020-6J
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6J
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
товар відсутній