MJD122T4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 22.4 грн |
5000+ | 19.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD122T4 STMicroelectronics
Description: TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 15mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 20 W.
Інші пропозиції MJD122T4 за ціною від 14.83 грн до 86.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MJD122T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 100...1000 Mounting: SMD |
на замовлення 2915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD122T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 6607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD122T4 | Виробник : STMicroelectronics NV | NPN Darl. DPAK TO-252-3 |
на замовлення 308 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MJD122T4 (MJD122T4G) (транзистор біполярный NPN) Код товару: 30180 |
Виробник : ON |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: D-Pak Uceo,V: 100 V Ucbo,V: 100 V Ic,A: 8 A h21: 5000 Примітка: Дарлінгтон |
товар відсутній
|
|
|||||||||||||||||
MJD122T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 100...1000 Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2915 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD122T4 | Виробник : STMicroelectronics | Darlington Transistors NPN Power Darlington |
на замовлення 13281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD122T4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MJD122T4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MJD122T4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MJD122T4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MJD122T4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MJD122T4 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 15mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W |
товар відсутній |