MJD122T4

MJD122T4 STMicroelectronics


en.CD00000829.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+22.4 грн
5000+ 19.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD122T4 STMicroelectronics

Description: TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 15mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 20 W.

Інші пропозиції MJD122T4 за ціною від 14.83 грн до 86.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD122T4 MJD122T4 Виробник : STMicroelectronics mjd122.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...1000
Mounting: SMD
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+54.33 грн
10+ 43.44 грн
56+ 15.74 грн
154+ 14.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD122T4 MJD122T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00000829.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 6607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.01 грн
10+ 52.18 грн
100+ 34.37 грн
500+ 25.07 грн
1000+ 22.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJD122T4 Виробник : STMicroelectronics NV en.CD00000829.pdf mjd122-d.pdf NPN Darl. DPAK TO-252-3
на замовлення 308 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
MJD122T4 (MJD122T4G) (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 30180
Виробник : ON MJD122T4.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: D-Pak
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 8 A
h21: 5000
Примітка: Дарлінгтон
товар відсутній
Кількість Ціна без ПДВ
1+20 грн
MJD122T4 MJD122T4 Виробник : STMicroelectronics mjd122.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...1000
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.19 грн
10+ 54.14 грн
56+ 18.88 грн
154+ 17.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD122T4 MJD122T4 Виробник : STMicroelectronics mjd122-1849838.pdf Darlington Transistors NPN Power Darlington
на замовлення 13281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+83.15 грн
10+ 57.94 грн
100+ 33.61 грн
500+ 26.53 грн
1000+ 23.78 грн
2500+ 20.96 грн
5000+ 18.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD122T4 MJD122T4 Виробник : STMicroelectronics cd0000082.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD122T4 MJD122T4 Виробник : STMicroelectronics cd0000082.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD122T4 MJD122T4 Виробник : STMicroelectronics cd0000082.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD122T4 MJD122T4 Виробник : STMicroelectronics cd0000082.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD122T4 Виробник : STMicroelectronics cd0000082.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD122T4 MJD122T4 Виробник : onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 15mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
товар відсутній